非晶硅平板探測(cè)器是間接數(shù)字化X線成像，其表面是一層閃爍體材料(碘化銫或硫氧化釓)，再下一層是以非晶體硅為材料的光電二極管電路，底層為電荷讀出電路。位于探測(cè)器表面的閃爍體將透過(guò)人體后衰減的X線轉(zhuǎn)換為可見光，非晶硅光電二極管陣列又將可見光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，在光電二極管自身的電容上形成存儲(chǔ)電荷，每個(gè)像素的存儲(chǔ)電荷量與入射X線強(qiáng)度成正比，在控制電路的作用下，掃描讀出各個(gè)像素的存儲(chǔ)電荷，經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換后輸出數(shù)字信號(hào)，傳送給計(jì)算機(jī)進(jìn)行圖像處理從而形成X線數(shù)字影像。 DR顯示上圖速度快，運(yùn)動(dòng)偽影影響小。青島醫(yī)療平板探測(cè)器技術(shù)指導(dǎo)

X-RAY設(shè)備主要是利用X光射線的穿透作用，X光射線波長(zhǎng)很短，能量特別大，照在物質(zhì)上時(shí)，物質(zhì)只能吸收一小部分，而大部分X光射線的能量會(huì)從物質(zhì)原子的間隙中穿過(guò)去，表現(xiàn)出極強(qiáng)的穿透能力。而x-ray設(shè)備能檢測(cè)出來(lái)，是利用X光射線的穿透力與物質(zhì)密度的關(guān)系，利用差別吸收這種性質(zhì)可以把密度不同的物質(zhì)區(qū)分開來(lái)。所以如果被檢測(cè)物品出現(xiàn)斷裂、厚度不一，形狀改變時(shí)，對(duì)于X光射線的吸收不同，產(chǎn)生的圖像也不同，故而能夠產(chǎn)生出差異化的黑白圖像。青島工業(yè)平板探測(cè)器技術(shù)參數(shù)線陣探測(cè)器只有一行像素，要形成二維圖像，需要使用傳送裝置增加時(shí)間維度。

X線攝影主要基于二維解剖平面成像，在諸多部位的成像上受到重疊影像影響，難以對(duì)病灶進(jìn)行精細(xì)的定位與評(píng)估。以胸片為例，由于胸部縱膈心影重疊以及膈下肋骨重疊，極易導(dǎo)致漏診與誤診的發(fā)生。由此，一種新的數(shù)字化X線攝影技術(shù)開始出現(xiàn)：動(dòng)態(tài)數(shù)字化X線攝影技術(shù)，簡(jiǎn)稱為動(dòng)態(tài)DR。動(dòng)態(tài)DR相較于常規(guī)數(shù)字化X線攝影，能極大地提升X線影像質(zhì)量控制效果，同時(shí)對(duì)于諸多部位的攝片診斷能提供運(yùn)功功能的視角和評(píng)估參考，進(jìn)一步提升篩查與診斷的精細(xì)性。動(dòng)態(tài)DR作為X線攝影技術(shù)，在臨床中具備大范圍的應(yīng)用價(jià)值與優(yōu)勢(shì)。

間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器由碘化銫等閃爍晶體涂層與薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)或電荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)或互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)構(gòu)成。間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器的工作過(guò)程一般分為兩步，首先閃爍晶體涂層將X線的能量轉(zhuǎn)換成可見光；其次TFT或CCD或CMOS將可見光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。由于在這過(guò)程中可見光會(huì)發(fā)生散射，對(duì)空間分辨率產(chǎn)生一定的影響。雖然新工藝中將閃爍體加工成柱狀以提高對(duì)X線的利用及降低散射，但散射光對(duì)空間分辨率的影響不能完全消除。 我公司擁有多年研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，探測(cè)器性能穩(wěn)定，性價(jià)比高，并提供各類定制。

現(xiàn)在的電子產(chǎn)品幾乎把輕薄設(shè)計(jì)作為企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。電子產(chǎn)品的內(nèi)部就變得更復(fù)雜，元器件越來(lái)越小，但算力卻幾何倍數(shù)提升。這對(duì)加工和檢驗(yàn)環(huán)節(jié)提出了新的挑戰(zhàn)。

常規(guī)的檢查方法：視覺檢查，光學(xué)檢查，電測(cè)試和超聲檢查等，很難同時(shí)滿足既能檢測(cè)得準(zhǔn)確又能跟得上量產(chǎn)速度。目前行業(yè)內(nèi)越來(lái)越多人認(rèn)可X射線檢測(cè)的準(zhǔn)確性、可靠性和快速成像優(yōu)勢(shì)。X射線的一項(xiàng)明顯特點(diǎn)就是穿透性強(qiáng)，在射線穿透檢材后再接收衰減程度不一的射線并通過(guò)軟件處理成像就可以非常直觀的發(fā)現(xiàn)缺陷。 非晶硒探測(cè)器測(cè)器由非晶硒層TFT組成。杭州醫(yī)療平板探測(cè)器技術(shù)參數(shù)

非晶硒的X射線效率低，因此在劑量較低的情況下，成像質(zhì)量不好。青島醫(yī)療平板探測(cè)器技術(shù)指導(dǎo)

X射線管包含有陽(yáng)極和陰極兩個(gè)電極，分別用于接受電子轟擊的靶材和發(fā)射電子的燈絲。兩極被密封在高真空的玻璃或陶瓷外殼內(nèi)。X射線管供電部分至少包含有一個(gè)使燈絲加熱的低壓電源和一個(gè)給兩極施加高電壓的高壓發(fā)生器。當(dāng)鎢絲通過(guò)足夠的電流使其產(chǎn)生電子云，且有足夠的電壓（千伏等級(jí)）加在陽(yáng)極和陰極間，使得電子云被拉往陽(yáng)極。此時(shí)電子以高能高速的狀態(tài)撞擊鎢靶，高速電子到達(dá)靶面，運(yùn)動(dòng)突然受到阻止，其動(dòng)能的一小部分便轉(zhuǎn)化為輻射能，以X射線的形式放出，以這種形式產(chǎn)生的輻射稱為軔致輻射。 青島醫(yī)療平板探測(cè)器技術(shù)指導(dǎo)